国产高端电容获得新打破

  每经AI快讯，6月12日从湖北江城实验室了解到，该实验室近期在电容要害技能上获得，成功研制出三维多层片上电容，电容密度打破每平方毫米1000纳法。该电容可直接使用于AI/GPU研制。现在，有关技能正在展开工艺流片及小批量试产，将在先进封装范畴完成规模化使用。（上证报）

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