光耦阻隔(驱动)电路-v10doc

　　（1） VISO（或BVS）isolation voltage阻隔电压：输入端与输出端之间能接受的沟通电压最大值。正常的情况下，只在有限的测验时刻内有保证（如1分钟）。

　　（2) Topr ,operating temmprature作业时分的温度：器材正常作业所答应的温度规模。是指环境和温度。当温度上升，器材带载（接受功耗）才能下降。

　　（3） IF，Forward Current of LED，发光管可以答应的正向电流最大值，二极管流过电流不超越If时，在环温25度下，保证不会由于功耗而损坏。

　　（4） VR，reverse voltage of LED，发光管所能接受的最大反向电压。超越此电压，发光管会有忽然增大的反向电流且无法发光，会导致光耦损坏或没办法康复的标准下降发生。

　　（5） PD(C/T)，power dissipation,环温25度时，光耦所能答应的最大功耗。环温温度上升，此值下降(derating)。

　　（6） VCEO, collector to emitter voltage of phototransistor

　　（7） VECO ，emitter to collector voltage of phototransistor

　　如，TLP521的VECO仅7V，CEO为55V。瞬间的过压降会导致器材参数不行康复的标准下降，或许损坏。

　　（8） IC，collector current of phototransistor,光电管在环温25度时集电极可以流过的电流的最大值。它能保证光电管作业于PC以下。

　　（9） CTR，Current Transfer Ratio，电流传输比。当VCE固定，光电管Ic与If之比。

　　（10）RS，isolation resistance,初次级绝缘电阻。

　　如，TLP521测验500V绝缘（在小于60%湿度环境下），绝缘电阻大于10G欧。

　　Cs ， isolation capcitance，绝缘电容，高频信号加到器材上时，输入输出之间的等效电容。由于此电容的存在，当存在激烈搅扰或许输入、输出的电位高速变化时，光耦引脚上有极大几率会呈现意料不到的搅扰信号。

　　（11） VF ，forward voltage of LED,发光管流过正向电流时发生的压降，VF和IF构成发光管的功耗。一般温度一守时，IF越大，VF越大。IF一守时，环温越高，VF越低。

　　（12） IR，Reverse current of LED,发光管接受必定反压时流过发光管的反向电流。一般反压越大，环温越高，此电流越大。

　　（13） CT，teminal capacitance of LED，发光管两头寄生电容。当高速应用时，光耦关断瞬间此电容上堆集的电荷如不能被快速放掉的话，会有少数电流继续通过了发光管放电，因而导致关断被推迟。

　　（14） ICEO，发光管上没有流过电流时（未发光），光电管上的漏电流，俗称暗电流。一般，CE结接受电压越大此电流越大。环温上升会导致此电流变大。

　　光耦阻隔（驱动）电路是指派用光耦器材完成阻隔（如阻隔SPI数字总线）、阻隔&驱动（如驱动继电器、发光体等）的硬件电路。